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MCR型静止无功补偿装置
MCR型静止无功补偿装置
MCR源自于磁放大器以及传统的饱和电抗器,但是由于它们的响应速度慢、损耗大、噪音大、谐波大等特点,长期以来没有得到广泛的应用。“磁阀”概念的提出,大大改善了饱和电抗器在损耗、噪音以及谐波等方面的性能,为饱和电抗器性能上的突破奠定了基础,而控制技术与电力电子技术在饱和电抗器中的创新应用,更是根本上改变了传统饱和电抗器响应速度慢和控制困难的缺点,一种全新的高低压动态无功补偿装置。
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工作环境

 MCR源自于磁放大器以及传统的饱和电抗器,但是由于它们的响应速度慢、损耗大、噪音大、谐波大等特点,长期以来没有得到广泛的应用。“磁阀”概念的提出,大大改善了饱和电抗器在损耗、噪音以及谐波等方面的性能,为饱和电抗器性能上的突破奠定了基础,而控制技术与电力电子技术在饱和电抗器中的创新应用,更是根本上改变了传统饱和电抗器响应速度慢和控制困难的缺点,一种全新的高低压动态无功补偿装置。

为我国广大用户提高功率因数,改善电能质量,提高自动运行水平,提供了全新的选择。


技术参数

TCR型SVC与MCR型SVC的性能比较


型式                        TCR                 MCR


很快响应速度          约10 ms          约10 ms


抑制过电压             好                    很好


抑制闪变                可以                 可以


分相调节                可以                 可以


无功输出               连续                 连续

                       感性/ 容性            感性/ 容性


自身谐波               有(约6%)      较小(约3%)


损耗                     1. 2~2. 0         0. 8~1. 2


噪声                      小                   小于75 dB


控制难度               较大                 较小


控制灵活性            好                    好


线性度                   好                    好


运行维护               较复杂             简单


成本                      较高                较低


可靠性                   低                   高


占地面积               大                    小


环境要求               高                    无


电磁污染               重                    小

技术特点
01
MCR由一个四柱铁心和绕组组成,中间两个铁心柱为工作铁心,NK为控制绕组,N为工作绕组,由于可控硅接于控制绕组上,其电压很低,以NK的匝数为N的1%计,可控硅T1和T2上的电压仅为工作电压的1%,从而大大提高了运行可靠性。
02
当工作绕组两端接上交流电压时,控制绕组上就会感应出相应的电压,在电压的正半周T1导通,在电压的负半周T2导通,通过控制T1T2的导通角即可控制直流激磁,导通角越小,ik1和k2越大,铁心饱和度越高,电抗器的感抗越小。
03
只有控制T1和T2的导通角大小,就可以平滑的调节MCR的容量。
产品型号

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